简体中文ON SEMICONDUCTOR - NID6002NT4G - 智能MOSFET N 60V 2.5W D-PAK
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NID6002NT4G
库存状态：上海 0 , 新加坡19, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 9.03
价格：
库存编号：
制造商编号：NID6002NT4G
库存状态：上海 0 , 新加坡19, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 9.03
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 9.03 |
| 25 - 99 | CNY 8.04 |
| 100 - 249 | CNY 6.38 |
| 250+ | CNY 5.24 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:65V
- 开态电阻, Rds(on):0.21ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.85V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 停止工作温度:200°C
- 功率, Pd:1.3W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:143mJ
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:65V
- 电流, Id 连续:6.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(G),2(D),3(S)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.85V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.4V
产品属性：
重量（公斤）：0.0003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:11A
- 电压, Vds 最大:65V
- 开态电阻, Rds(on):0.21ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.85V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 停止工作温度:200°C
- 功率, Pd:1.3W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:143mJ
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:65V
- 电流, Id 连续:6.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(G),2(D),3(S)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.85V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.4V
