简体中文ON SEMICONDUCTOR - NIF5003NT1G - 智能MOSFET N 42V 1.25W SOT-223
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NIF5003NT1G
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1702
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.40
价格：
库存编号：
制造商编号：NIF5003NT1G
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1702
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.40
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 7.40 |
| 25 - 99 | CNY 6.60 |
| 100 - 249 | CNY 5.20 |
| 250+ | CNY 5.10 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:14A
- 电压, Vds 最大:42V
- 开态电阻, Rds(on):0.053ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:14V DC
- 功耗:1.9W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-223
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.25W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:233mJ
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:42V
- 电流, Id 连续:14A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(G),2(D),3(S), 4-TAB(D)
- 钳位电压 最大:42V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.2V
产品属性：
重量（公斤）：0.00012
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:14A
- 电压, Vds 最大:42V
- 开态电阻, Rds(on):0.053ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:14V DC
- 功耗:1.9W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-223
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.25W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:233mJ
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:42V
- 电流, Id 连续:14A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(G),2(D),3(S), 4-TAB(D)
- 钳位电压 最大:42V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.2V
