简体中文ON SEMICONDUCTOR - NIF62514T1G - 智能MOSFET N 42V 1.73W SOT-223
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NIF62514T1G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 8.64
价格：
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价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 8.64 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:16V DC
- 功耗:8.93W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-223
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 停止工作温度:175°C
- 功率, Pd:1.1W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:300mJ
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:6A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(G),2(D),3(S), 4-TAB(D)
- 钳位电压 最大:40V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2V
产品属性：
重量（公斤）：0.00012
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:16V DC
- 功耗:8.93W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-223
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 停止工作温度:175°C
- 功率, Pd:1.1W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:300mJ
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:6A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(G),2(D),3(S), 4-TAB(D)
- 钳位电压 最大:40V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2V
