STMICROELECTRONICS - STP30NM30N - 场效应管 MOSFET N型 TO-220

制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STP30NM30N
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国35
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 70.69
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 70.69
25 - 99	CNY 55.56
100 - 249	CNY 44.54
250+	CNY 39.09

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:30A
电压, Vds 最大:300V
开态电阻, Rds(on):0.09ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:160W
工作温度范围:-65oC to +150oC
封装类型:TO-220
针脚数:3
功率, Pd:160W
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:300V
电流, Id 连续:30A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.09ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:3V

产品属性：

重量（公斤）：0.00204
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:30A
电压, Vds 最大:300V
开态电阻, Rds(on):0.09ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:160W
工作温度范围:-65oC to +150oC
封装类型:TO-220
针脚数:3
功率, Pd:160W
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:300V
电流, Id 连续:30A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.09ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:3V