简体中文STMICROELECTRONICS - STB270N4F3 - 场效应管 MOSFET N D2-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STB270N4F3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 42.13
价格：
库存编号：
制造商编号：STB270N4F3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 42.13
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 42.13 |
| 25 - 99 | CNY 33.11 |
| 100 - 249 | CNY 26.55 |
| 250+ | CNY 23.29 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:160A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):0.0025ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:330W
- 工作温度范围:-55oC to +175oC
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SMD标号:270N4F3
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:160A
- 电流, Idm 脉冲:640A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0025ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.0015
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:160A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):0.0025ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:330W
- 工作温度范围:-55oC to +175oC
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SMD标号:270N4F3
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:160A
- 电流, Idm 脉冲:640A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0025ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
