简体中文VISHAY SILICONIX - SI5481DU-T1-E3 - 场效应管 MOSFET P PowerPAK
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI5481DU-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.80
价格：
库存编号：
制造商编号：SI5481DU-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 7.80 |
| 25 - 99 | CNY 6.15 |
| 100 - 249 | CNY 5.33 |
| 250+ | CNY 5.03 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.041ohm
- 功耗:17.8mW
- 封装类型:PowerPAK
- P沟道栅极电荷 Qg:20nC
- 器件标号:5481
- 封装类型:PowerPAK
- 晶体管类型:TrenchFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:1.8V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:12A
- 电流, Idm 脉冲:20A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-0.4V
产品属性：
重量（公斤）：0.0002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.041ohm
- 功耗:17.8mW
- 封装类型:PowerPAK
- P沟道栅极电荷 Qg:20nC
- 器件标号:5481
- 封装类型:PowerPAK
- 晶体管类型:TrenchFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:1.8V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:12A
- 电流, Idm 脉冲:20A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-0.4V
