VISHAY SILICONIX - SI5486DU-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N PowerPAK
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:SI5486DU-T1-E3
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 10.41
价格:
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制造商编号:SI5486DU-T1-E3
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 10.41
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 10.41 |
| 25 - 99 | CNY 7.88 |
| 100 - 249 | CNY 6.21 |
| 250+ | CNY 5.86 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.021ohm
- 功耗:31mW
- 封装类型:PowerPAK
- N沟道栅极电荷 Qg:21nC
- 器件标号:5486
- 器件标记:SI5486DU-T1-E3
- 封装类型:PowerPAK
- 晶体管类型:TrenchFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:1.8V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:12A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
产品属性:
重量(公斤):0.0002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.021ohm
- 功耗:31mW
- 封装类型:PowerPAK
- N沟道栅极电荷 Qg:21nC
- 器件标号:5486
- 器件标记:SI5486DU-T1-E3
- 封装类型:PowerPAK
- 晶体管类型:TrenchFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:1.8V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:12A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V

