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VISHAY SILICONIX - SI5486DU-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N PowerPAK

VISHAY SILICONIX - SI5486DU-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N PowerPAK
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:SI5486DU-T1-E3
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 10.41
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 10.41
25  - 99 CNY 7.88
100  - 249 CNY 6.21
250+  CNY 5.86

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描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.021ohm
  • 功耗:31mW
  • 封装类型:PowerPAK
  • N沟道栅极电荷 Qg:21nC
  • 器件标号:5486
  • 器件标记:SI5486DU-T1-E3
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:TrenchFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:1.8V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:12A
  • 电流, Idm 脉冲:40A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
产品属性:

重量(公斤):0.0002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.021ohm
  • 功耗:31mW
  • 封装类型:PowerPAK
  • N沟道栅极电荷 Qg:21nC
  • 器件标号:5486
  • 器件标记:SI5486DU-T1-E3
  • 封装类型:PowerPAK
  • 晶体管类型:TrenchFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:1.8V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:12A
  • 电流, Idm 脉冲:40A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V