VISHAY SILICONIX - SI7102DN-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N PowerPAK

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI7102DN-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1139
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14.80
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 14.80

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:25A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):0.0047ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:8V
功耗:52mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:PowerPAK
N沟道栅极电荷 Qg:41nC
器件标号:7102
封装类型:PowerPAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:35A
电流, Idm 脉冲:60A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:0.4V

产品属性：

重量（公斤）：0.00069
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:25A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):0.0047ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:8V
功耗:52mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:PowerPAK
N沟道栅极电荷 Qg:41nC
器件标号:7102
封装类型:PowerPAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:35A
电流, Idm 脉冲:60A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:0.4V