简体中文VISHAY SILICONIX - SIE810DF-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N PolarPAK
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SIE810DF-T1-E3
库存状态：上海19, 新加坡2481, 英国2576
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 28.06
价格：
库存编号：
制造商编号：SIE810DF-T1-E3
库存状态：上海19, 新加坡2481, 英国2576
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 28.06
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 28.06 |
| 25 - 99 | CNY 21.01 |
| 100 - 249 | CNY 16.65 |
| 250+ | CNY 16.15 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:60A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电???, Rds(on):0.0014ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.3V
- 功耗:125mW
- 封装类型:PolarPAK
- 针脚数:10
- N沟道栅极电荷 Qg:90nC
- 功率, Pd:125W
- 器件标号:810
- 封装类型:PolarPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:236A
- 电流, Idm 脉冲:100A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0014ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.0027ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.0016ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.8V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2V
产品属性：
重量（公斤）：0.00099
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:60A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电???, Rds(on):0.0014ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.3V
- 功耗:125mW
- 封装类型:PolarPAK
- 针脚数:10
- N沟道栅极电荷 Qg:90nC
- 功率, Pd:125W
- 器件标号:810
- 封装类型:PolarPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:236A
- 电流, Idm 脉冲:100A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0014ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.0027ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.0016ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.8V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2V
