简体中文VISHAY SILICONIX - SIE818DF-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N PolarPAK
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SIE818DF-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 31.16
价格：
库存编号：
制造商编号：SIE818DF-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 31.16
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 31.16 |
| 25 - 99 | CNY 23.30 |
| 100+ | CNY 19.43 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:60A
- 电压, Vds 最大:75V
- 开态电阻, Rds(on):0.0095ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.1V
- 功耗:125mW
- 工作温度范围:-50°C to +150°C
- 封装类型:PolarPAK
- 针脚数:10
- N沟道栅极电荷 Qg:33nC
- 功率, Pd:125W
- 器件标号:818
- 封装类型:PolarPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:75V
- 电流, Id 连续:79A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0095ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.0125ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.00099
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:60A
- 电压, Vds 最大:75V
- 开态电阻, Rds(on):0.0095ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.1V
- 功耗:125mW
- 工作温度范围:-50°C to +150°C
- 封装类型:PolarPAK
- 针脚数:10
- N沟道栅极电荷 Qg:33nC
- 功率, Pd:125W
- 器件标号:818
- 封装类型:PolarPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:75V
- 电流, Id 连续:79A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0095ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.0125ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V
