FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDD8424H - 双MOSFET N+P SMD D-PAK
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FDD8424H
库存状态:上海100, 美国 0 , 新加坡180, 英国6994
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 7.90
价格:
库存编号:
制造商编号:FDD8424H
库存状态:上海100, 美国 0 , 新加坡180, 英国6994
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 7.90
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 7.90 |
描述信息:
- 晶体管极性:NP
- 漏极电流, Id 最大值:9A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):24mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.7V
- 功耗:3.1W
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:5
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id N沟道:9A
- 漏极连续电流, Id P沟道:6.5A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:9A
- 脉冲电流, Idm N沟道:55A
- 脉冲电流, Idm P沟道:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.024ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.054ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
产品属性:
重量(公斤):0.0003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:NP
- 漏极电流, Id 最大值:9A
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):24mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.7V
- 功耗:3.1W
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:5
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id N沟道:9A
- 漏极连续电流, Id P沟道:6.5A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:9A
- 脉冲电流, Idm N沟道:55A
- 脉冲电流, Idm P沟道:40A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.024ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.054ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V

