FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG8842CZ - 双MOSFET N+P SMD SC70-6

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDG8842CZ
库存状态：上海 0 , 新加坡20, 英国2674
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.40
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 2.40
25+	CNY 2.20

描述信息：

晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:750mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:1V
功耗:0.38W
封装类型:SC-70
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:.42
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SC-70
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id N沟道:0.75A
漏极连续电流, Id P沟道:0.41A
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds N沟道 2:30V
电压, Vds P沟道 1:25V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.75A
脉冲电流, Idm N沟道:2.2A
脉冲电流, Idm P沟道:1.2A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on N沟道最大:0.4ohm
通态电阻, Rds on P沟道最大:1.1ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:0.65V

产品属性：

重量（公斤）：0.00003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:750mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:1V
功耗:0.38W
封装类型:SC-70
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:.42
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SC-70
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id N沟道:0.75A
漏极连续电流, Id P沟道:0.41A
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds N沟道 2:30V
电压, Vds P沟道 1:25V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.75A
脉冲电流, Idm N沟道:2.2A
脉冲电流, Idm P沟道:1.2A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on N沟道最大:0.4ohm
通态电阻, Rds on P沟道最大:1.1ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:0.65V