FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8858CZ - 双MOSFET N+P SMD SO-8

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDS8858CZ
库存状态：上海 0 , 新加坡536, 英国6028
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 9.00
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 9.00
25 - 99	CNY 7.40
100 - 249	CNY 5.10
250+	CNY 4.80

描述信息：

晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:8.6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):17mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.6V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id N沟道(1):8.6A
漏极连续电流, Id P沟道:7.3A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:8.6A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm P沟道:20A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on N沟道最大:0.017ohm
通态电阻, Rds on P沟道最大:0.0205ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:8.6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):17mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.6V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
漏极连续电流, Id N沟道(1):8.6A
漏极连续电流, Id P沟道:7.3A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:8.6A
脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
脉冲电流, Idm P沟道:20A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on N沟道最大:0.017ohm
通态电阻, Rds on P沟道最大:0.0205ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V