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TOSHIBA - SSM6P05FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 0.2A 20V SOT23

TOSHIBA - SSM6P05FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 0.2A 20V SOT23
制造商:TOSHIBA
库存编号:
制造商编号:SSM6P05FU(TE85LF)
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2685
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 4.30
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 4.30
25  - 99 CNY 3.80
100  - 249 CNY 3.50
250+  CNY 3.20

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描述信息:
  • 模块配置:Dual P Channel
  • 晶体管极性:PP
  • 漏极电流, Id 最大值:-200mA
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):3.3ohm
  • 电压 @ Rds测量:-4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
  • 功耗:300mW
  • 封装类型:US6
  • 封装类型:US6
  • 晶体管类型:Small Signal MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:0.2A
产品属性:

重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 模块配置:Dual P Channel
  • 晶体管极性:PP
  • 漏极电流, Id 最大值:-200mA
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):3.3ohm
  • 电压 @ Rds测量:-4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
  • 功耗:300mW
  • 封装类型:US6
  • 封装类型:US6
  • 晶体管类型:Small Signal MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:0.2A