ROHM - QS5U12TR - 场效应管 MOSFET N VGS -2.5V
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.154ohm
- 封装类型:TSMT5
- 上升时间:10ns
- 下降时间:8ns
- 功率, Pd:1.25W
- 封装类型:TSMT5
- 晶体管类型:ESD Protected + Flywheel Diode & Seperate Schottky Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电容值, Ciss 典型值:175pF
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:8A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(A),2(S),3(G),4(D),5(K)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.154ohm
- 封装类型:TSMT5
- 上升时间:10ns
- 下降时间:8ns
- 功率, Pd:1.25W
- 封装类型:TSMT5
- 晶体管类型:ESD Protected + Flywheel Diode & Seperate Schottky Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电容值, Ciss 典型值:175pF
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:8A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(A),2(S),3(G),4(D),5(K)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V

