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ROHM - RHP020N06T100 - 场效应管 MOSFET N 60V 2.5A

ROHM - RHP020N06T100 - 场效应管 MOSFET N 60V 2.5A
制造商:ROHM
库存编号:
制造商编号:RHP020N06T100
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国671
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
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价格:
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描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.34ohm
  • 封装类型:MPT3
  • 上升时间:10ns
  • 下降时间:18ns
  • 功率, Pd:0.5W
  • 封装类型:MPT3
  • 晶体管类型:ESD Protected + Flywheel Diode & Seperate Schottky Diode
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电容值, Ciss 典型值:140pF
  • 电流, Id 连续:2A
  • 电流, Idm 脉冲:8A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
产品属性:

重量(公斤):0.00006
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.34ohm
  • 封装类型:MPT3
  • 上升时间:10ns
  • 下降时间:18ns
  • 功率, Pd:0.5W
  • 封装类型:MPT3
  • 晶体管类型:ESD Protected + Flywheel Diode & Seperate Schottky Diode
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电容值, Ciss 典型值:140pF
  • 电流, Id 连续:2A
  • 电流, Idm 脉冲:8A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V