简体中文ROHM - RK7002AT116 - 场效应管 MOSFET N 60V 0.3A
制造商：ROHM
库存编号：
制造商编号：RK7002AT116
库存状态：上海 0 , 新加坡208, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 1.23
价格：
库存编号：
制造商编号：RK7002AT116
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包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 1.23
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY 1.23 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):1ohm
- 封装类型:SST3
- 上升时间:5ns
- 下降时间:80ns
- 功率, Pd:0.2W
- 封装类型:SST3
- 晶体管类型:ESD Protected Enhancement + Flywheel Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电容值, Ciss 典型值:33pF
- 电流, Id 连续:0.3A
- 电流, Idm 脉冲:1.2A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:1ohm
- 针脚配置:S(1), G(2), D(3)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):1ohm
- 封装类型:SST3
- 上升时间:5ns
- 下降时间:80ns
- 功率, Pd:0.2W
- 封装类型:SST3
- 晶体管类型:ESD Protected Enhancement + Flywheel Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电容值, Ciss 典型值:33pF
- 电流, Id 连续:0.3A
- 电流, Idm 脉冲:1.2A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:1ohm
- 针脚配置:S(1), G(2), D(3)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
