ROHM - RSQ045N03TR - 场效应管 MOSFET N 30V 4.5A
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.038ohm
- 封装类型:TSMT6
- 上升时间:19ns
- 下降时间:14ns
- 功率, Pd:1.25W
- 封装类型:TSMT6
- 晶体管类型:Enhancement + Flywheel Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电容值, Ciss 典型值:520pF
- 电流, Id 连续:4.5A
- 电流, Idm 脉冲:18A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.038ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.051ohm
- 针脚配置:D(1+2+5+6), G(3), S(4)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.038ohm
- 封装类型:TSMT6
- 上升时间:19ns
- 下降时间:14ns
- 功率, Pd:1.25W
- 封装类型:TSMT6
- 晶体管类型:Enhancement + Flywheel Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电容值, Ciss 典型值:520pF
- 电流, Id 连续:4.5A
- 电流, Idm 脉冲:18A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.038ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.051ohm
- 针脚配置:D(1+2+5+6), G(3), S(4)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V

