简体中文ROHM - RTQ020N03TR - 场效应管 MOSFET N VGS -2.5V
制造商：ROHM
库存编号：
制造商编号：RTQ020N03TR
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2440
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.66
价格：
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制造商编号：RTQ020N03TR
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.66
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 2.66 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.194ohm
- 封装类型:TSMT6
- 上升时间:11ns
- 下降时间:9ns
- 功率, Pd:1.25W
- 封装类型:TSMT6
- 晶体管类型:ESD Protected + Flywheel Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电容值, Ciss 典型值:135pF
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:8A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:D(1+2+5+6),S(4),G(3)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.194ohm
- 封装类型:TSMT6
- 上升时间:11ns
- 下降时间:9ns
- 功率, Pd:1.25W
- 封装类型:TSMT6
- 晶体管类型:ESD Protected + Flywheel Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电容值, Ciss 典型值:135pF
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:8A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:D(1+2+5+6),S(4),G(3)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
