ROHM - US5U3TR - 场效应管 MOSFET N VGS=-2.5V
制造商:ROHM
库存编号:
制造商编号:US5U3TR
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2559
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.96
价格:
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制造商编号:US5U3TR
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2559
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.96
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 3.96 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.34ohm
- 封装类型:TUMT5
- 上升时间:9ns
- 下降时间:6ns
- 功率, Pd:0.7W
- 封装类型:TUMT5
- 晶体管类型:ESD Protected + Flywheel Diode & Seperate Schottky Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电容值, Ciss 典型值:80pF
- 电流, Id 连续:1.5A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(G),2(S),3(A),4(K),5(D)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.34ohm
- 封装类型:TUMT5
- 上升时间:9ns
- 下降时间:6ns
- 功率, Pd:0.7W
- 封装类型:TUMT5
- 晶体管类型:ESD Protected + Flywheel Diode & Seperate Schottky Diode
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电容值, Ciss 典型值:80pF
- 电流, Id 连续:1.5A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(G),2(S),3(A),4(K),5(D)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V

