INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7103QPBF - 双MOSFET NN SO-8
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:3A
- 电压, Vds 最大:50V
- 开态电阻, Rds(on):130mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 功耗:2.4W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:2.4W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:50V
- 电压, Vds 典型值:50V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:3A
- 电流, Idm 脉冲:25A
产品属性:
重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:3A
- 电压, Vds 最大:50V
- 开态电阻, Rds(on):130mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 功耗:2.4W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOIC
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:2.4W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:50V
- 电压, Vds 典型值:50V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:3A
- 电流, Idm 脉冲:25A