简体中文INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7105QPBF - 双MOSFET NP SO-8
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF7105QPBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2152
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.10
价格：
库存编号：
制造商编号：IRF7105QPBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2152
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.10
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 6.10 |
| 25 - 99 | CNY 3.80 |
| 100+ | CNY 3.60 |
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:3.5A
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):0.083ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:2W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 功率, Pd:2.0W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id N沟道(1):3.5A
- 漏极连续电流, Id P沟道:2.3A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:25V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:3.5A
- 脉冲电流, Idm N沟道(1):21A
- 脉冲电流, Idm P沟道:17A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.10ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.25ohm
- 阈???电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:3.5A
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):0.083ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:2W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 功率, Pd:2.0W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id N沟道(1):3.5A
- 漏极连续电流, Id P沟道:2.3A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:25V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:3.5A
- 脉冲电流, Idm N沟道(1):21A
- 脉冲电流, Idm P沟道:17A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.10ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.25ohm
- 阈???电压, Vgs th 典型值:3V
