简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQB33N10TM - 场效应管 MOSFET N TO-263
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FQB33N10TM
库存状态：上海 0 , 新加坡70, 英国232
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 9.40
价格：
库存编号：
制造商编号：FQB33N10TM
库存状态：上海 0 , 新加坡70, 英国232
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 9.40
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 9.40 |
| 25 - 99 | CNY 7.29 |
| 100 - 999 | CNY 6.25 |
| 1000+ | CNY 4.82 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:33A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:127W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:127W
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电压变化率 dv/dt:6V/ns
- 电流, Id 连续:30A
- 电流, Idm 脉冲:132A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.00143
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:33A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:127W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:127W
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电压变化率 dv/dt:6V/ns
- 电流, Id 连续:30A
- 电流, Idm 脉冲:132A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
