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NXP - BLT81.115 - 射频晶体管 NPN 每卷1K

NXP - BLT81.115 - 射频晶体管 NPN 每卷1K
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BLT81.115
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1
包装规格：1,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 15,630.00
价格：
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1+  CNY 15,630.00

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描述信息：
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:9.5V
  • 截止频率 ft, 典型值:900MHz
  • 功耗, Pd:2W
  • 集电极直流电流:500mA
  • 直流电流增益 hFE:25
  • 外宽:6.7mm
  • 外部深度:7.5mm
  • 外部长度/高度:1.7mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:RF Bipolar
  • 每卷数量:1000
  • 表面安装器件:表面安装
  • 集电极连续电流:500mA
  • SMD标号:BLT81
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:2W
  • 效率:60%
  • 最大连续电流, Ic:0.5A
  • 最小功率增益 Gp:6dB
  • 电压, Vcbo:20V
  • 电流, Ic hFE:300mA
  • 电流, Ic 最大:0.5A
  • 电源电压:7.5V
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:25
  • 负载功率:1.2W
  • 集电极电流, Ic 平均值:500mA
产品属性：

重量（公斤）：0.12
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:9.5V
  • 截止频率 ft, 典型值:900MHz
  • 功耗, Pd:2W
  • 集电极直流电流:500mA
  • 直流电流增益 hFE:25
  • 外宽:6.7mm
  • 外部深度:7.5mm
  • 外部长度/高度:1.7mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:RF Bipolar
  • 每卷数量:1000
  • 表面安装器件:表面安装
  • 集电极连续电流:500mA
  • SMD标号:BLT81
  • 封装类型:SOT-223
  • 带子宽度:12mm
  • 总功率, Ptot:2W
  • 效率:60%
  • 最大连续电流, Ic:0.5A
  • 最小功率增益 Gp:6dB
  • 电压, Vcbo:20V
  • 电流, Ic hFE:300mA
  • 电流, Ic 最大:0.5A
  • 电源电压:7.5V
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:25
  • 负载功率:1.2W
  • 集电极电流, Ic 平均值:500mA