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VISHAY SILICONIX - SI4500BDY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500

VISHAY SILICONIX - SI4500BDY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4500BDY-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12,549.14
价格：
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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
  • 漏极电流, Id 最大值:4.5A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电??, Rds(on):0.02ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:1.5V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • N沟道栅极电荷 Qg:11nC
  • P沟道栅极电荷 Qg:6nC
  • SMD标号:SI4500BDY
  • 功率, Pd:1.3W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最高电压, Vds P沟道:20V
  • 每卷数量:2500
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3.8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds N沟道 1:20V
  • 电压, Vds P沟道 1:20V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:9.1A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V N沟道:0.03ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V P沟道:0.06ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.02ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.1ohm
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.02ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.048ohm
产品属性：

重量（公斤）：0.2
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
  • 漏极电流, Id 最大值:4.5A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电??, Rds(on):0.02ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:1.5V
  • 功耗:2.5W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • N沟道栅极电荷 Qg:11nC
  • P沟道栅极电荷 Qg:6nC
  • SMD标号:SI4500BDY
  • 功率, Pd:1.3W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最高电压, Vds P沟道:20V
  • 每卷数量:2500
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3.8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds N沟道 1:20V
  • 电压, Vds P沟道 1:20V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:9.1A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V N沟道:0.03ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V P沟道:0.06ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.02ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.1ohm
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.02ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.048ohm