简体中文VISHAY SILICONIX - SI4850EY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N 每卷2500
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4850EY-T1-E3
库存状态：无库存
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13,895.04
价格：
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| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 13,895.04 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:8.5A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开???电阻, Rds(on):0.022ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:1.7W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- N沟道栅极电荷 Qg:18nC
- 上升时间:10ns
- 功率, Pd:1.7W
- 封装类型:SOIC
- 带子宽度:12mm
- 时间, t off:25ns
- 时间, t on:10ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:6A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:175°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.022ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.031ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.2
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:8.5A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开???电阻, Rds(on):0.022ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:1.7W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- N沟道栅极电荷 Qg:18nC
- 上升时间:10ns
- 功率, Pd:1.7W
- 封装类型:SOIC
- 带子宽度:12mm
- 时间, t off:25ns
- 时间, t on:10ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:6A
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:175°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.022ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.031ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
