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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8958A - 双MOSFET NP 每卷2500

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8958A - 双MOSFET NP 每卷2500
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDS8958A
库存状态：无库存
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 9,730.60
价格：
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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
  • 漏极电流, Id 最大值:7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:1.9V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS8958A
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极连续电流, Id N沟道(1):7A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
  • 脉冲电流, Idm P沟道:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.028ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.052ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
产品属性：

重量（公斤）：1.25
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
  • 漏极电流, Id 最大值:7A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:1.9V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD标号:FDS8958A
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 带子宽度:12mm
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 每卷数量:2500
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极连续电流, Id N沟道(1):7A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:30V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
  • 脉冲电流, Idm P沟道:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.028ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.052ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V