简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6675 - 场效应管 MOSFET P SO-8 每卷2500
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDS6675
库存状态：无库存
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12,247.50
价格：
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制造商编号：FDS6675
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包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12,247.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 12,247.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:-11A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.014ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:FDS6675
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 带子宽度:12mm
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:11A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds:30V
- 电压, Vds 典型值:-30V
- 电???, Id 连续:11A
- 电流, Idm 脉冲:50A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-3V
产品属性：
重量（公斤）：1.25
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:-11A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.014ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:FDS6675
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 带子宽度:12mm
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度:11A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds:30V
- 电压, Vds 典型值:-30V
- 电???, Id 连续:11A
- 电流, Idm 脉冲:50A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-3V
