简体中文STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - 场效应管 MOSFET N 每卷2500
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STS4DNF60L
库存状态：无库存
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14,427.20
价格：
库存编号：
制造商编号：STS4DNF60L
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14,427.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 14,427.20 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道(双）
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.7V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:STS4DNF60L
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 带子宽度:12mm
- 总功率, Ptot:2.5W
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:16A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚格式:1 S1
- 2 G1
- 3 S2
- 4 G2
- 5 D2
- 6 D2
- 7 D1
- 8 D1
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
产品属性：
重量（公斤）：5
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道(双）
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.7V
- 功耗:2.5W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SMD标号:STS4DNF60L
- 功率, Pd:2.5W
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 带子宽度:12mm
- 总功率, Ptot:2.5W
- 排距:6.3mm
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:16A
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚格式:1 S1
- 2 G1
- 3 S2
- 4 G2
- 5 D2
- 6 D2
- 7 D1
- 8 D1
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
