简体中文DIODES INC. - ZXM61P02FTA - 场效应管 MOSFET P SOT-23 每卷3K
制造商：DIODES INC.
库存编号：
制造商编号：ZXM61P02FTA
库存状态：无库存
包装规格：3,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5,780.30
价格：
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制造商编号：ZXM61P02FTA
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包装规格：3,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5,780.30
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 5,780.30 |
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:-900mA
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:-12V
- 功耗:806mW
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- SMD标号:P02
- 功率, Pd:625W
- 封装类型:SOT-23
- 带子宽度:8mm
- 总功率, Ptot:625W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:3000
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:0.9A
- 电流, Idm 脉冲:4.9A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.6ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-0.7V
产品属性：
重量（公斤）：0.099
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:-900mA
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:-12V
- 功耗:806mW
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOT-23
- 针脚数:3
- SMD标号:P02
- 功率, Pd:625W
- 封装类型:SOT-23
- 带子宽度:8mm
- 总功率, Ptot:625W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:3000
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:0.9A
- 电流, Idm 脉冲:4.9A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.6ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V
- 阈值电压, Vgs th 最低:-0.7V
