简体中文FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDV303N - 场效应管 MOSFET N 数字式 每卷3K
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDV303N
库存状态：无库存
包装规格：3,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2,570.80
价格：
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制造商编号：FDV303N
库存状态：无库存
包装规格：3,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2,570.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 2,570.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:680mA
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
- 电压 @ Rds测量:2.7V
- 电压, Vgs 最高:800mV
- 功耗:0.35W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:303
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 击穿电压, ESD:6kV
- 功率, Pd:0.35W
- 外宽:3.05mm
- 外部深度:2.5mm
- 外部长度/高度:1.12mm
- 封装类型:SOT-323
- 带子宽度:8mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:3000
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:0.68A
- 电流, Idm 脉冲:2A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.099
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:680mA
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
- 电压 @ Rds测量:2.7V
- 电压, Vgs 最高:800mV
- 功耗:0.35W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:303
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 击穿电压, ESD:6kV
- 功率, Pd:0.35W
- 外宽:3.05mm
- 外部深度:2.5mm
- 外部长度/高度:1.12mm
- 封装类型:SOT-323
- 带子宽度:8mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:3000
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:0.68A
- 电流, Idm 脉冲:2A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
