FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDN5618P - 场效应管 MOSFET P SOT-23 每卷3K

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDN5618P
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1
包装规格：3,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 7,528.60
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 7,528.60

描述信息：

晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:1.2A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.17ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-1.6V
功耗:0.5W
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:618
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:0.5W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
晶体管类型:MOSFET
每卷数量:3000
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds:60V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:1.25A
电流, Idm 脉冲:10A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
阈值电压, Vgs th 最高:-3V

产品属性：

重量（公斤）：0.099
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:1.2A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.17ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-1.6V
功耗:0.5W
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:618
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:0.5W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
晶体管类型:MOSFET
每卷数量:3000
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds:60V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:1.25A
电流, Idm 脉冲:10A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
阈值电压, Vgs th 最高:-3V