简体中文ON SEMICONDUCTOR - MTD6N20ET4G - 场效应管 MOSFET N D-PAK 每卷2500
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：MTD6N20ET4G
库存状态：无库存
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14,832.30
价格：
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最小订单量：1
多重订单量：1
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价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 14,832.30 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.7ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:50W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:6N20E
- 功率, Pd:50W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:D-PAK
- 带子宽度:16mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:6A
- 电流, Idm 脉冲:18A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：1
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.7ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:50W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD标号:6N20E
- 功率, Pd:50W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:D-PAK
- 带子宽度:16mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:6A
- 电流, Idm 脉冲:18A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
