简体中文STMICROELECTRONICS - STD25NF10LT4. - 场效应管 MOSFET N 每卷2500
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STD25NF10LT4.
库存状态：无库存
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 15,890.60
价格：
库存编号：
制造商编号：STD25NF10LT4.
库存状态：无库存
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 15,890.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 15,890.60 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:25A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开??电阻, Rds(on):0.03ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.5V
- 功耗:100W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- 功率, Pd:100W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:D-PAK
- 带子宽度:16mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:25A
- 电流, Idm 脉冲:100A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
产品属性：
重量（公斤）：1
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:25A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开??电阻, Rds(on):0.03ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.5V
- 功耗:100W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- 功率, Pd:100W
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:D-PAK
- 带子宽度:16mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:25A
- 电流, Idm 脉冲:100A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:1V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
