简体中文VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFI640GPBF - 场效应管 MOSFET N FullPak封装 每管50
制造商：VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRFI640GPBF
库存状态：无库存
包装规格：50
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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制造商编号：IRFI640GPBF
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.18ohm
- 功耗:40W
- 封装类型:TO-220FP
- 针脚数:3
- 功率, Pd:40W
- 封装类型:TO-220FP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:9.8A
- 电流, Idm 脉冲:39A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装???件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 隔离电压:2.5kV
产品属性：
重量（公斤）：0.16
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.18ohm
- 功耗:40W
- 封装类型:TO-220FP
- 针脚数:3
- 功率, Pd:40W
- 封装类型:TO-220FP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:9.8A
- 电流, Idm 脉冲:39A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装???件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 隔离电压:2.5kV
