简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN230N10 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B 每管10只
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFN230N10
库存状态：无库存
包装规格：10
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFN230N10
库存状态：无库存
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单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- ???体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:230A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.006ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:700W
- 封装类型:ISOTOP
- 针脚数:4
- 功率, Pd:700W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:100V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:230A
- 电流, Idm 脉冲:920A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.006ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：2.36
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- ???体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:230A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.006ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:700W
- 封装类型:ISOTOP
- 针脚数:4
- 功率, Pd:700W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:100V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:230A
- 电流, Idm 脉冲:920A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.006ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
