简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B 每管10只
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFN44N80
库存状态：无库存
包装规格：10
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFN44N80
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最小订单量：1
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价格：
描述信息：
- 晶体???极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:800V
- 开态电阻, Rds(on):0.165ohm
- 功耗:700W
- 封装类型:ISOTOP
- N沟道栅极电荷 Qg:380nC
- 功率, Pd:700W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:4J
- 封装类型:ISOTOP
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:64mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:800V
- 电压变化率 dv/dt:5V/ns
- 电流, Id 连续:44A
- 电流, Idm 脉冲:800A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.165ohm
- 重量:0.000036kg
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.062
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体???极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:800V
- 开态电阻, Rds(on):0.165ohm
- 功耗:700W
- 封装类型:ISOTOP
- N沟道栅极电荷 Qg:380nC
- 功率, Pd:700W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:4J
- 封装类型:ISOTOP
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:64mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:800V
- 电压变化率 dv/dt:5V/ns
- 电流, Id 连续:44A
- 电流, Idm 脉冲:800A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.165ohm
- 重量:0.000036kg
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
