IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN48N50 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B 每管10只
描述信息:
- 晶体???极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 功耗:520W
- 封装类型:ISOTOP
- 功率, Pd:520W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:48A
- 电流, Idm 脉冲:192A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.1ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V
产品属性:
重量(公斤):0.062
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体???极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 功耗:520W
- 封装类型:ISOTOP
- 功率, Pd:520W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Id 连续:48A
- 电流, Idm 脉冲:192A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.1ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V

