简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN21N100 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B 每管10只
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXTN21N100
库存状态：无库存
包装规格：10
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：IXTN21N100
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包装规格：10
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- ???体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):0.55ohm
- 功耗:520W
- 封装类型:ISOTOP
- 功率, Pd:520W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:21A
- 电流, Idm 脉冲:84A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.55ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.062
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- ???体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):0.55ohm
- 功耗:520W
- 封装类型:ISOTOP
- 功率, Pd:520W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:21A
- 电流, Idm 脉冲:84A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.55ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
