简体中文STMICROELECTRONICS - STE180NE10 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B 每管10只
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STE180NE10
库存状态：无库存
包装规格：10
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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制造商编号：STE180NE10
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描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.006ohm
- 功耗:360W
- 封装类型:ISOTOP
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:360W
- 外宽:25.4mm
- 外部深度:38mm
- 外部长度/高度:12.2mm
- 安装孔中心距:31.6mm
- 封装类型:ISOTOP
- 总功率, Ptot:360W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:180A
- 电流, Idm 脉冲:540A
- 端子类型:4mm螺丝
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 隔离电压:2.5kV
产品属性：
重量（公斤）：0.062
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.006ohm
- 功耗:360W
- 封装类型:ISOTOP
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:360W
- 外宽:25.4mm
- 外部深度:38mm
- 外部长度/高度:12.2mm
- 安装孔中心距:31.6mm
- 封装类型:ISOTOP
- 总功率, Ptot:360W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:180A
- 电流, Idm 脉冲:540A
- 端子类型:4mm螺丝
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 隔离电压:2.5kV
