简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - 场效应管 MOSFET N TO-247 每管30
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFH20N80Q
库存状态：无库存
包装规格：30
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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制造商编号：IXFH20N80Q
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描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:800V
- 开态电阻, Rds(on):0.42ohm
- 功耗:360W
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:150nC
- 功率, Pd:360W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
- 封装类型:TO-247
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:45mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:800V
- 电压变化率 dv/dt:5V/ns
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.42ohm
- 重量:6g
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.36
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:800V
- 开态电阻, Rds(on):0.42ohm
- 功耗:360W
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:150nC
- 功率, Pd:360W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
- 封装类型:TO-247
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 最大重复雪崩能量 Ear:45mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:800V
- 电压变化率 dv/dt:5V/ns
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:0.42ohm
- 重量:6g
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
