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INFINEON - SPA20N60C3 - 场效应管 MOSFET N TO-220 每管45

INFINEON - SPA20N60C3 - 场效应管 MOSFET N TO-220 每管45
制造商：INFINEON
库存编号：
制造商编号：SPA20N60C3
库存状态：无库存
包装规格：45
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：

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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:34.5W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:34.5W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:690mJ
  • 封装类型:TO-220AB
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最大重复雪崩能量 Ear:1mJ
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:650V
  • 电压变化率 dv/dt:50V/μs
  • 电流, Id 连续:20.7A
  • 电流, Idm 脉冲:62.1A
  • 电流, Idss 最大:1mA
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.19ohm
  • 重复雪崩电流, Iar:20A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3.9V
产品属性：

重量（公斤）：0.16
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 电压, Vds 最大:650V
  • 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:34.5W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:34.5W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:690mJ
  • 封装类型:TO-220AB
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 最大重复雪崩能量 Ear:1mJ
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:650V
  • 电压变化率 dv/dt:50V/μs
  • 电流, Id 连续:20.7A
  • 电流, Idm 脉冲:62.1A
  • 电流, Idss 最大:1mA
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.19ohm
  • 重复雪崩电流, Iar:20A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3.9V