简体中文DIODES INC. - ZXMN2F30FHTA - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-23
制造商：DIODES INC.
库存编号：
制造商编号：ZXMN2F30FHTA
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国642
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.90
价格：
库存编号：
制造商编号：ZXMN2F30FHTA
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国642
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 13.90
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 13.90 |
| 25+ | CNY 10.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:4.9A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.045ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:960mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOT-23
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:4.9A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.065ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:4.9A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.045ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:960mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-23
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOT-23
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:4.9A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.065ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
