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DIODES INC. - ZXMN3G32DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SO-8

DIODES INC. - ZXMN3G32DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SO-8
制造商：DIODES INC.
库存编号：
制造商编号：ZXMN3G32DN8TA
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国55
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.50
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 5.50
25  - 99 CNY 3.70
100  - 249 CNY 3.20
250+  CNY 3.10

订购
描述信息：
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:Dual N
  • 漏极电流, Id 最大值:7.1A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 功耗:2.1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:7.1A
  • 电流, Idm 脉冲:33.6A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.028ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
产品属性：

重量（公斤）：0.00007
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:Dual N
  • 漏极电流, Id 最大值:7.1A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 功耗:2.1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:7.1A
  • 电流, Idm 脉冲:33.6A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.028ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V