INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6785MTR1PBF - 场效应管 MOSFET N沟道 DirectFET? MZ

制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF6785MTR1PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1183
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 20.00
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 20.00
25 - 99	CNY 12.60
100+	CNY 11.90

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.7A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):85mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:200V
功耗:57W
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:MZ
封装类型:MZ
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:19A
电流, Idm 脉冲:27A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V

产品属性：

重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.7A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):85mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:200V
功耗:57W
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:MZ
封装类型:MZ
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:19A
电流, Idm 脉冲:27A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V