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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG6303N - 场效应管 MOSFET NN

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG6303N - 场效应管 MOSFET NN
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FDG6303N
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:10
单位价格(不含税):CNY 1.50
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 1.50
10  - 99 CNY 1.30
100  - 249 CNY 1.10
250  - 499 CNY 0.90
500+  CNY 0.90

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:NN
  • 漏极电流, Id 最大值:500mA
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 开态电阻, Rds(on):0.34ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:800mV
  • 功耗:300mW
  • 封装类型:SC-70
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-70
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:25V
  • 电流, Id 连续:0.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V
产品属性:

重量(公斤):0.0001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:NN
  • 漏极电流, Id 最大值:500mA
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 开态电阻, Rds(on):0.34ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:800mV
  • 功耗:300mW
  • 封装类型:SC-70
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-70
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:25V
  • 电流, Id 连续:0.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.8V