简体中文ON SEMICONDUCTOR - MJD200G - 射频晶体管
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：MJD200G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：10
单位价格(不含税)：CNY 2.87
价格：
库存编号：
制造商编号：MJD200G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：10
单位价格(不含税)：CNY 2.87
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 2.87 |
| 25 - 99 | CNY 2.53 |
| 100 - 249 | CNY 2.14 |
| 250+ | CNY 2.09 |
描述信息：
- 晶体管极性:NPN
- 电压, Vceo:25V
- 截止频率 ft, 典型值:65MHz
- 功耗, Pd:1.4W
- 集电极直流电流:5A
- 直流电流增益 hFE:65
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功耗:1.4W
- 封装类型:D-PAK
产品属性：
重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:NPN
- 电压, Vceo:25V
- 截止频率 ft, 典型值:65MHz
- 功耗, Pd:1.4W
- 集电极直流电流:5A
- 直流电流增益 hFE:65
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功耗:1.4W
- 封装类型:D-PAK
