简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTB75N03L09G - 场效应管 MOSFET N
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTB75N03L09G
库存状态：停产
包装规格：1
最小订单量：25
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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制造商编号：NTB75N03L09G
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最小订单量：25
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
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描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏??电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:30V DC
- 开态电阻, Rds(on):6.5mohm
- 电压 @ Rds测量:5V DC
- 电压, Vgs 最高:20V DC
- 功耗:125W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:D2-PAK
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:75A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
产品属性：
重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏??电流, Id 最大值:75A
- 电压, Vds 最大:30V DC
- 开态电阻, Rds(on):6.5mohm
- 电压 @ Rds测量:5V DC
- 电压, Vgs 最高:20V DC
- 功耗:125W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:D2-PAK
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:D2-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:75A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
