简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTD3055L104G - 场效应管 MOSFET N
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTD3055L104G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：10
单位价格(不含税)：CNY 2.23
价格：
库存编号：
制造商编号：NTD3055L104G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：10
单位价格(不含税)：CNY 2.23
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 2.23 |
| 25+ | CNY 1.92 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:12A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):104mohm
- 电压 @ Rds测量:5V
- 电压, Vgs 最高:1.6V
- 功耗:48W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:12A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
产品属性：
重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:12A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):104mohm
- 电压 @ Rds测量:5V
- 电压, Vgs 最高:1.6V
- 功耗:48W
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:12A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
