FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP038AN06A0 - 场效应管 MOSFET N

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDP038AN06A0
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡 0 , 英国26
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 27.00
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 27.00
10+	CNY 23.70

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.0035ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:310W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:80A
表面安装器件:通孔安装

产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.0035ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:310W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:80A
表面安装器件:通孔安装